碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。碳化硅作为第三代化合物半导体，因其高禁带宽度、电导率和热导率而被认为是最适合用于高性能计算、新能源领域的理想材料。

一、碳化硅定义

碳化硅依据晶体结构（α/β型）、纯度（工业级/电子级）、应用形态（单晶/多晶/纤维等）形成多维分类体系。β-SiC单晶凭借宽禁带、高击穿场强特性成为新型功率半导体衬底主流；多晶形态则在极端环境结构件领域不可替代；电子级高纯材料（微管密度＜0.5/cm²）和纤维增强陶瓷构成高端应用的技术壁垒。当前产业迭代的关键在于6英寸向8英寸单晶衬底的量产突破与成本控制能力的竞争，驱动第三代半导体应用从新能源车、光伏逆变器向工业电机、数据中心电源扩展。

二、碳化硅行业发展政策

近年来，中国碳化硅器件行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅器件产业发展与创新，《制造业可靠性提升实施意见》《关于推动能源电子产业发展的指导意见》等产业政策为碳化硅器件行业的发展提供了明确、广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。

三、碳化硅行业发展现状

1.碳化硅功率器件

（1）市场规模

功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，功率半导体器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。从2020年到2024年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。2024年全球碳化硅功率半导体器件市场规模达到26亿美元，较上年增长8.33%。2025年全球碳化硅功率半导体器件市场规模将达到29亿美元。

（2）渗透率

功率半导体可分为两大类，即传统硅基半导体与宽禁带半导体，前者包括由硅等元素构成的半导体，而后者则包括碳化硅及氮化镓等化合物。碳化硅功率半导体凭借优异的击穿电压、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力等特性脱颖而出。碳化硅功率半导体器件已在多个行业获得广泛应用， 2024年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率达4.9%。2025年碳化硅功率半导体渗透率将达到5.2%。

2.碳化硅射频器件

射频半导体器件在无线通讯领域中发挥着至关重要的作用，主要负责信号的转换和处理，是无线通信设备不可或缺的基础组件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器和双工器等。2024年全球半绝缘型碳化硅基射频半导体器件市场规模达10.9亿美元，较上年增长7.92%。2025年全球半绝缘型碳化硅基射频半导体器件市场规模将达到12亿美元。

3.碳化硅衬底

碳化硅衬底是指以碳化硅粉末为主要原材料，经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料，是用于制作宽禁带半导体及其他碳化硅基器件的基础材料。2024年全球碳化硅衬底市场规模达到92亿元，较上年增长24.32%。2025年全球碳化硅衬底市场规模将达到123亿元。

4.碳化硅功率半导体

全球碳化硅功率半导体器件销售额由2020年的6亿美元增至2024年的26亿美元，年复合增速为45.4%。2025年全球碳化硅功率半导体销售额将超过30亿美元。

5.企业潜力排行榜

碳化硅具有高硬度、高热导率、高化学稳定性等特性，可用于磨料、耐火材料、化工、电子、汽车等多个领域，随着新能源、5G、航空航天等新兴产业的发展以及全球能源转型的推进，对碳化硅的市场需求不断增长，在政策支持和资本推动下，碳化硅企业蓬勃兴起。

四、碳化硅行业重点企业

1.三安光电

三安光电股份有限公司的主营业务是化合物半导体材料与器件的研发、生产和销售。三安光电的主要产品是LED外延芯片、集成电路产品、LED应用产品、材料、废料销售、租金、物业、服务收入。三安光电通过全产业链垂直整合布局碳化硅领域，覆盖衬底、外延、芯片制造到封装环节。

2025年第一季度实现营业收入43.12亿元，同比增长21.23%；实现归母净利润2.12亿元，同比增长78.15%。2024年主营产品包括LED外延芯片营收占整体的37.48%，材料、废料销售营收占整体的27.79%，集成电路产品营收占整体的17.74%。

2.华润微

华润微电子有限公司的主营业务是功率半导体、智能传感器与智能控制等领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。华润微的主要产品是MOSFET、IGBT、功率二极管、物联网应用专用IC、功率IC、光电耦合及传感、SiC、GaN。

2025年第一季度实现营业收入23.55亿元，同比增长11.29%；实现归母净利润0.83亿元，同比增长151.52%。

3.天岳先进

山东天岳先进科技股份有限公司的主营业务是碳化硅半导体材料的研发、生产和销售。天岳先进的主要产品是碳化硅半导体材料。

2025年第一季度实现营业收入4.08亿元，同比下降4.23%；实现归母净利润0.09亿元，同比下降80.43%。

4.斯达半导体

斯达半导体股份有限公司的主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。斯达半导体的主要产品是IGBT模块。

2025年第一季度实现营业收入9.19亿元，同比增长14.16%；实现归母净利润1.04亿元，同比下降36.2%。

5.天域半导体

广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）外延片研发、生产与销售的高新技术企业。天域半导体引进国际先进的SiC-CVD设备及检测系统，技术达到国际先进水平，产品终端覆盖新能源、轨道交通、智能电网等领域。

五、碳化硅行业发展前景

1.材料技术突破加速国产替代

碳化硅衬底大尺寸化与性能优化成为产业升级关键。国内企业如天岳先进已实现12英寸p型碳化硅衬底自主量产，显著提升高压器件耐压性，支撑特高压输电及新能源装备国产化；同时，华为等企业突破高电压、低导阻芯片设计，碳化硅MOSFET模块开关损耗降低70%，跻身国际第一梯队。技术突破直接推动产业链从“尺寸升级”向“综合性能优化”跃迁，为车规级、电网级高端应用提供核心材料保障。

2.全产业链协同攻克应用瓶颈

 “衬底-器件-系统”垂直整合破解“卡脖子”难题。上游衬底环节凭借成本优势（国产衬底价格较国际低150美元/片）反向渗透国际供应链，天岳先进50%产能出口欧美；中游制造通过IDM模式（如三安光电垂直整合产线）缩短研发周期，8英寸量产推动单位成本下降40%；下游联合车企定制开发，比亚迪自研衬底比例达80%-90%，实现车规级模块自主可控。协同机制显著提升产业链韧性与技术转化效率。

3.新兴应用场景驱动需求扩容

新能源汽车与智能电网构建双增长引擎。新能源汽车领域，800V平台普及推动单车碳化硅用量激增（主驱逆变器需36-48颗芯片），比亚迪全系插混车型已全面采用；电网领域，首座35千伏碳化硅柔性变电站投运，解决分布式能源并网效率瓶颈，未来特高压输电对万伏千安级器件的需求将呈指数级增长。双场景叠加释放千亿级市场空间，倒逼企业提升“技术-场景”适配能力。