超宽禁带半导体材料（UWBG），又称第四代半导体材料，指禁带宽度（Eg）大于等于3.4eV的半导体材料。超宽禁带半导体材料具备耐受电压高、工作温度范围宽、电子迁移率高、抗辐射性能好等优势，在辐射探测器、超高压电力电子器件、量子通信以及射频电子发射器等高新技术领域拥有广阔应用前景。
    超宽禁带半导体材料主要包括氧化镓半导体材料、金刚石半导体材料以及氮化铝半导体材料三种。氧化镓半导体材料（Ga2O3）可通过熔体法制得，在低功耗、高耐压电力电子器件中应用较多；金刚石半导体材料具备导热率高、硬度高、带隙宽、光谱范围宽等特点，可用于制造激光器、同位素电池以及高能粒子探测器；氮化铝半导体材料具备高温稳定性好、声速高等优势，禁带宽度达到6.2eV，应用范围较广。
   全球已布局超宽禁带半导体材料行业研发及生产赛道的企业包括日本Mirise Technologies公司、日本奥比睿有限公司（Orbray）、日本NCT股份有限公司、美国Hexa Tech公司、美国Crystal IS公司等。日本NCT为全球β-Ga2O3衬底代表企业，市场占比达到近九成。
    在本土方面，我国超宽禁带半导体材料行业尚处于起步阶段，主要生产企业包括杭州镓仁半导体有限公司、杭州富加镓业科技有限公司、北京铭镓半导体有限公司、江苏南大光电材料股份有限公司、河南四方达超硬材料股份有限公司等。镓仁半导体专注于氧化镓晶体生长与衬底加工技术的研究及应用，已具备2英寸氧化镓单晶生产实力。
   目前，我国超宽禁带半导体材料行业发展仍面临诸多问题亟待解决。一方面，与海外发达国家相比，我国超宽禁带半导体材料行业起步较晚，研发实力及技术水平较为落后；另一方面，受国际形势影响，全球多个国家出台政策限制超宽禁带半导体材料出口，我国企业需加大研发投入力度，以提升自身竞争实力。
   超宽禁带半导体材料作为新一代半导体材料，在众多领域拥有广阔应用前景。但目前，我国超宽禁带半导体材料行业尚处于起步阶段，未实现大规模应用。预计未来一段时间，伴随研究深入、技术进步，我国超宽禁带半导体材料行业发展速度有望加快。