经过多年发展，光刻机已经有五代产品。第一代为g线型光刻机，以36nmg-line为光源，步进扫描投影式光刻技术为其核心技术；第二代为i线型光刻机，以365nmi-line为光源，其光刻分辨率为220-500nm；第三代为KrF光刻机，采用深紫外光源，工艺节点为180-130nm；第四代为ArF光刻机，可细分为干式光刻机以及湿式光刻机两种类型；第五代为极紫外光刻机，以极紫外光作为光源，属于高端光刻机。
    ArF光刻机，又称氟化氩光刻机，指采用193纳米波长的氟化氩（ArF）准分子激光作为光源制成的光学曝光设备。ArF光刻机需具备光刻精度高、分辨率高、维护便捷、安全可靠性高等特点，在半导体制造领域拥有广阔应用前景。
   ArF光刻机通常由投影物镜、准分子激光源、对准系统、工件台以及控制模块等组件构成。准分子激光源为ArF光刻机核心组件，能产生深紫外光，可对脉冲频率、放电电压以及气体比例等参数进行精确调控。目前，我国企业已具备准分子激光源自主研发及生产实力，这将为ArF光刻机行业发展提供有利条件。
  ArF光刻机为半导体制造重要设备，适用于45-7nm技术节点的集成电路制造过程中。受益于技术进步，我国集成电路产量不断增长。据国家统计局发布数据显示，2024年我国集成电路产量达到4514.2亿块，同比增长22.2%。应用需求增长将为我国ArF光刻机行业发展带来机遇。
   全球ArF光刻机市场主要参与者包括荷兰阿斯麦公司（ASML）、日本尼康公司（Nikon）、日本佳能公司（Canon）等。ASML为全球光刻机龙头企业，占据ArF光刻机市场较大份额。在本土方面，近年来，我国ArF光刻机市场国产化进程有所加快。中国科益虹源公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）等为我国ArF光刻机市场主要参与者。目前，上海微电子已成功研发出我国首台ArF光刻机，将在高端芯片制造过程中获得应用。
   ArF光刻机主要应用于集成电路制造过程中，未来伴随应用需求日益旺盛，其市场空间将得到进一步扩展。与海外发达国家相比，我国ArF光刻机行业起步较晚，但发展势头迅猛，未来随着本土企业持续发力，其国产产品市场占比有望提升。