忆阻器又称记忆电阻器，是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，可以表示磁通与电荷之间的关系。忆阻器具有记忆功能，阻值会随流经电荷而改变，通过测定阻值，可计算出流经的电荷量。
　　忆阻器通常呈“三明治”结构，即金属/绝缘体/金属（MIM）单元结构，其中I为忆阻功能层，由离子导体构成，如钙钛矿、硫化物、二元氧化物、有机化合物等。忆阻器有多种工作机制，包括离子迁移机制、电荷转移机制、热化学反应机制等，其中离子迁移机制为忆阻器主要工作机制。
　　无机材料是迄今为止研究最广泛的忆阻器材料，相比之下，有机高分子材料、生物材料研究较少。近年来，随着环保要求提升、可降解需求释放，基于生物材料的忆阻器受到广泛关注，尤其是丝素蛋白（SF）基忆阻器，目前已制备出多种功能、增强忆阻性能的SF基忆阻器。
　　忆阻器具有存储器、电阻器的特性，在数据存储、生物医学、人工智能、数据中心、逻辑运算、神经网络、通信等领域具有广阔应用空间。但作为新兴元器件，忆阻器生产成本高、商业化程度低，目前市场规模较小，2024年全球忆阻器市场规模约1.5亿美元。
　　技术创新、研发效率提升是推动忆阻器产业化的重要力量，近年来，国内外机构、企业均在积极研究开发忆阻器，包括意大利巴勒莫大学、美国内布拉斯加大学、惠普、英特尔、IBM、博世、富士通（Fujitsu）、清华大学、国防科技大学、福建师范大学、天忆时代、昕原半导体、亿铸智能、后摩智能等。
　　我国在忆阻器领域已取得众多突破。北京大学杨玉超团队研发出一种可支持多种工作模式的忆阻器，这种忆阻器能够支持多种光学神经网络，还能实现大规模可重构视觉计算硬件系统；福建师范大学李德力团队开发出了采用银/铋（Ag/Bi）双层电极结构的钙钛矿忆阻器，解决了传统电极成本高、稳定性差的痛点。
　　忆阻器市场潜力巨大，吸引了国内外众多企业和机构布局，随着研究深入、相关成果转化，忆阻器正不断从实验室走向产业化，应用空间随之扩大。近年来，忆阻器在材料设计、器件性能优化、应用拓展等方面取得了显著进展，但作为新兴元器件，忆阻器产业化发展仍面临成本高、兼容性不足、缺乏标准等问题。