氮化镓晶体管，又称GaN晶体管，指以氮化镓为基材制成的晶体管。氮化镓晶体管具备电子迁移率高、耐高压、耐高温、导通电阻低、增益高等特点，在消费电子、通信系统、汽车制造、航空航天等领域拥有广阔应用前景。
氮化镓为氮化镓晶体管主要原材料，对其性能及质量起到决定性作用。氮化镓是一种宽禁带半导体材料，主要制备方法包括金属有机化学气相沉积法（MOCVD）、水热法、氧化物法、气相传输反应法以及分子束外延法等。经过多年发展，我国氮化镓技术成熟度不断提升，这将为氮化镓晶体管行业发展提供有利条件。
氮化镓晶体管在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括消费电子、通信系统、汽车制造、航空航天等。在消费电子领域，氮化镓晶体管可用于无线充电器制造过程中；在通信系统领域，其可用于5G通信基站中，能够满足大容量数据传输需求；在汽车制造领域，其可用于新能源汽车充电系统中；在航空航天领域，其可用于深空探测器以及卫星电源供应系统中。
全球已布局氮化镓晶体管行业研发及生产赛道的企业包括美国宜普电源转换公司（EPC）、美国德州仪器公司（TI）、德国英飞凌科技公司（Infineon）等。宜普电源专注于氮化镓及其相关产品的研发、生产及销售，为全球氮化镓晶体管代表企业。目前，宜普电源推出的30V增强型单片式半桥氮化镓晶体管已在集成电路制造过程中获得广泛应用。
在本土方面，与海外发达国家相比，我国氮化镓晶体管行业起步较晚，但发展势头迅猛。华润微、三安光电、华为海思、氮矽科技等为我国氮化镓晶体管市场主要参与者。氮矽科技正在积极推进增强型氮化镓晶体管以及分离式氮化镓栅极驱动芯片的研发及生产。2024年10月，氮矽科技已完成千万级人民币战略融资，融资资金将用于氮化镓产品的研发及销售。
氮化镓晶体管作为一种半导体器件，应用前景广阔，未来伴随下游行业发展速度加快以及技术进步，其市场空间将得到进一步扩展。目前，我国氮化镓晶体管行业尚处于起步阶段，未来伴随本土企业持续发力，其商用化进程将进一步加快。