结型场效应晶体管，简称结型场效应管，英文简称JFET，是一种具有放大功能的三端有源器件，可以分为N沟道、P沟道两种产品，工作原理是通过电压改变沟道的导电性来实现输出电流控制。
　　结型场效应晶体管主要由栅极、源极、漏极等构成，连接源极与漏极的通道为沟道，栅极在源极与漏极之间。若沟道材料采用N型半导体，则栅极采用P型半导体，产品为N沟道结型场效应晶体管；若沟道材料采用P型半导体，则栅极采用N型半导体，产品为P沟道结型场效应晶体管。
　　场效应晶体管（FET）包括结型场效应晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）两种。在结型场效应晶体管产品中，耗尽型JFET（D-JFET）最为常见，不施加电压时其沟道电阻小，施加电压控制栅极改变沟道厚度，可使沟道电阻产生变化，从而实现输入信号放大。
　　结型场效应晶体管为单极晶体管，具有结构简单、体积小、负温度系数、载流子迁移率高、无少数载流子存储效应与扩散问题、开关速度快、截止频率高、输入阻抗高、信号功率要求低、功率增益高、抗辐射能力强、噪声小、工艺兼容性好、易于匹配、安全性高、使用寿命长等特点。
　　结型场效应晶体管可以采用硅（Si）、磷化铟（InP）、磷砷化铟镓（GaInAsP）等材料进行制造，可以广泛用于电子电路、数字电路中，应用场景包括放大器、开关电路、限流器、稳压器、相移振荡器等。在数字集成电路中，采用结型场效应晶体管可以改善电路单元性能、提高芯片电学参数。
　　2015年以来，全球场效应晶体管市场整体呈现稳定上升态势，2023年市场规模约为324亿美元。在全球范围内，亚太地区是最大的场效应晶体管需求市场，接下来是北美和欧洲地区。与MOSFET相比，全球结型场效应晶体管市场份额占比小，但在部分应用场景中不可或缺，仍有发展空间。
　　在全球范围内，领先的结型场效应晶体管生产商主要有日本东芝（Toshiba）、日本松下（Panasonic）、荷兰恩智浦（NXP）、意大利意法半导体（ST）、德国英飞凌（Infineon）、美国威世（Vishay）、美国安森美半导体（ON Semiconductor）、美国中央半导体（Cental Semiconductor）、美国仙童半导体（Fairchild Semiconductor）等，主要是欧美日企业。